- 您现在的位置：买卖IC网 > Sheet目录340 > MAX15018BASA+ (Maxim Integrated Products)IC MOSF DRVR HALF BRDG HS 8-SOIC
125V/3A, High-Speed,
Half-Bridge MOSFET Drivers
Typical Operating Characteristics
(T A = +25°C, unless otherwise noted.)
V DD AND BST UNDERVOLTAGE LOCKOUT
V DD AND BST UNDERVOLTAGE LOCKOUT
UNDERVOLTAGE LOCKOUT RESPONSE
7.5
7.4
vs. TEMPERATURE
V DD RISING
0.60
0.58
HYSTERESIS vs. TEMPERATURE
(V DD RISING)
MAX15018 toc03
12V
V DD
2V/div
7.3
0.56
7.2
0.54
7.3V
7.1
7.0
6.9
6.8
6.7
V BST - V HS RISING
0.52
0.50
0.48
0.46
0.44
V DD
V BST - V HS
4V
V DH
5V/div
V DL
5V/div
6.6
6.5
0.42
0.40
-40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125
AMBIENT TEMPERATURE ( ° C)
UNDERVOLTAGE LOCKOUT RESPONSE
-40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125
AMBIENT TEMPERATURE ( ° C)
MAX15018A I DDO + I BSTO CURRENT
40 μ s/div
INTERNAL BOOTSTRAP
12V
(V DD FALLING)
MAX15018 toc04
5.0
4.5
vs. V DD (250kHz SWITCHING)
V DD = V BST
200
180
DIODE I-V CHARACTERISTICS
T A = -40 ° C
4.0
160
T A = 0 ° C
6.8V
4V
V DD
2V/div
3.5
3.0
2.5
140
120
100
T A = +25 ° C
T A = +125 ° C
V DH
5V/div
V DL
2.0
1.5
1.0
V DD FALLING
V DD RISING
80
60
40
T A = +150 ° C
5V/div
0.5
0
20
0
40 μ s/div
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V DD (V)
V DD - V BST (V)
MAX15018A V DD QUIESCENT CURRENT
vs. V DD (NO SWITCHING)
MAX15018A BST QUIESCENT CURRENT
vs. V BST (NO SWITCHING)
MAX15018A I DD AND I BST
vs. SWITCHING FREQUENCY
160
140
120
100
80
60
40
V DD FALLING
T A = +125°C
T A = +150°C
140
120
100
80
60
40
V BST FALLING
T A = +25°C
T A = +125°C
T A = 0°C
6
5
4
3
2
V DD = V BST = 12V
NO LOAD
I DD
I BST
20
0
T A = -40°C, 0°C, +25°C
20
0
T A = -40°C
1
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
0
200
400
600
800
1000
V DD (V)
V BST (V)
SWITCHING FREQUENCY (kHz)
_______________________________________________________________________________________
5
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
MAX15022EVKIT+
KIT EVAL FOR MAX15022
MAX15025EATB+T
IC GATE DRVR 2CH 16NS 10TDFN-EP
MAX15053EVKIT+
BOARD EVAL FOR MAX15053
MAX15054AUT+T
IC MOSFET DVR HIGH SIDE SOT-23-6
MAX15070BEUT+T
IC MOSFET DRIVER HNM LL SOT23-6
MAX15103EVKIT#
EVAL KIT MAX15103
MAX1554ETA+T
IC LED DVR WHITE BCKLGT 8TDFN
MAX1570ETE+
IC LED DRVR WHITE BCKLGT 16-TQFN
相关代理商/技术参数
MAX15018BASA+T
功能描述:功率驱动器IC 125V/3A High-Speed Half-B MOSFET Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
MAX15019AASA+
功能描述:功率驱动器IC 125V/3A High-Speed Half-B MOSFET Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
MAX15019AASA+T
功能描述:功率驱动器IC 125V/3A High-Speed Half-B MOSFET Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
MAX15019BASA+
功能描述:功率驱动器IC 125V/3A High-Speed Half-B MOSFET Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
MAX15019BASA+T
功能描述:功率驱动器IC 125V/3A High-Speed Half-B MOSFET Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
MAX1501ETE
功能描述:电池管理 Linear Bat Charger w/Thermal Reg RoHS:否 制造商:Texas Instruments 电池类型:Li-Ion 输出电压:5 V 输出电流:4.5 A 工作电源电压:3.9 V to 17 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:VQFN-24 封装:Reel
MAX1501ETE/V+
功能描述:电池管理 Linear Bat Charger w/Thermal Reg RoHS:否 制造商:Texas Instruments 电池类型:Li-Ion 输出电压:5 V 输出电流:4.5 A 工作电源电压:3.9 V to 17 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:VQFN-24 封装:Reel
MAX1501ETE/V+T
功能描述:电池管理 Linear Bat Charger w/Thermal Reg RoHS:否 制造商:Texas Instruments 电池类型:Li-Ion 输出电压:5 V 输出电流:4.5 A 工作电源电压:3.9 V to 17 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:VQFN-24 封装:Reel